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采用索尼Pregius S背照（BSI）技术传感器，在减小相机体积的同时确保量子效率。200 nm波段量子效率高于25%，整个UVA和UVB波段量子效率在40%-50%之间。
02 支持定制化设计
标准版：传感器带有双层AR（防反射）涂层的石英玻璃罩，预防变脏和损坏同时最大限度允许光线通过。
定制版：传感器可拆卸玻璃盖，这种设计为特殊的紫外应用提供便利，在激光光束轮廓测绘等应用可以避免干涉条纹的影响。
| 产品型号 | GO-8105M-5GE-UV |
| 颜色 | Mono |
| 分辨率 | 2856 x 2848 |
| 帧速 | 66fps |
| 波长 | Visible+UV |
| 像元 | 2.74 x 2.74μm |
| 快门 | 全局 |
| 芯片类型 | CMOS |
| 位深 | 8/10/12bit |
| 接口 | 5GigE |
01 晶圆细小杂质检测
在杂质检测中，照射光源通过对象物体发出的散射光进行观察，因为对象物非常小，接收到的光极其微弱。比光波长还要小的对象物体发出散射光是与对象物尺寸的6倍成正比，波长的4倍成反比。因此，为检测出细小杂质需要照射更短波长的光，同时还要具备非常高灵敏度。
同时在数μm以下对分辨率有要求的检测中使用的照明光源波长与所需的分辨率接近。因此，光学分辨率极限便是一个问题。所谓分辨率是指能够区分2个光斑距离的分辨率，它依赖于光的波长。比起采用可见光，使用波长更短的紫外线，在分辨率方面更有优势。
GO-8105M-5GE-UV具备8.1MP分辨率，2.74μm像元，适用于针对晶圆细小杂质高精度检测。
02 光掩模对准
在光刻工艺中会有多种对准标记，掩模版上的精细图形通过光线曝光印制到硅片上的过程中，利用光掩模和晶圆表面未对准而导致对紫外线反射或吸收程度差异特性，用紫外相机拍摄被照亮的光掩模，进行模版对准分析。
03 塑料分选
利用UV光分选丙烯酸树脂（PMMA）和聚苯乙烯（PS)。
通过UV图像传感器检测，劣化的电绝缘体会辐射紫外线。
GO-8105M-5GE-UV面阵相机，身材小巧，宽光谱高灵敏度，保障半导体工业生产或科研领域研究，是紫外成像解决方案可靠选择。
